中國A股存儲晶片板塊回升 主力資金淨流入逾十九億
2026-10-02
中國A股主要指數9月29日全線收漲，存儲晶片板塊在前一交易日深度調整後企穩回升。數據顯示，該板塊全天獲主力資金淨流入19.3億元。當日上證指數報3830.45點，升0.18%；深證成指報12901.95點，升0.34%；創業板指報3142.56點，升0.09%；科創50指數升0.86%，報1569.34點。此前9月28日市場大幅調整，上證指數、深證成指分別跌1.67%、3.44%，存儲晶片指數當日跌5.01%；29日該指數收報2583.98點，升0.52%，成交額1823.9億元。
個股方面，聚辰股份升8.04%，盛美上海升6.09%；長鑫科技、兆易創新分別升3.25%、2.53%，大單資金分別淨流入5.61億元、5.86億元；通富微電、華虹宏力升幅均超2%，瀾起科技、君正股份、精智達、精測電子等跟漲。
基本面看，AI算力建設正深刻改變存儲晶片行業供需格局。摩根大通研報認為，即使出現產品規格下調，HBM供需仍持續偏緊，2026年至2028年HBM比特需求複合增速達63%，行業始終處於供給短缺，供需缺口率將由-20%小幅收窄至-16%；2025年至2028年DRAM新增產能中有58%投向HBM製造，HBM佔DRAM總產能比例將由19%提升至31%，產能向高端集中趨勢明確。
國泰海通研報表示，存儲晶片行業已從AI算力投資受益環節轉變為制約AI基建的關鍵瓶頸，AI需求驅動的結構性短缺貫穿全產業鏈，供需缺口仍在加大；2026年三季度合約價漲幅放緩並非周期見頂信號，預計漲價趨勢有望延續至2027年。興業證券測算，2026年至2028年DRAM供需缺口率分別為-4.38%、-2.98%、-1.48%，供需關係持續緊張。高盛報告亦認為，存儲晶片行業整體仍處景氣上升通道，PC和伺服器DRAM繼續保持較強價格動能，供應商持續將有限產能優先配置於伺服器DRAM和HBM。
中信證券研報認為，2026年三季度電子行業整體業績維持高景氣，其中「AI通脹」方向最佳，存儲晶片相關公司業績表現強勁，預計存儲原廠及利基存儲設計、合封存儲的IC設計公司等細分板塊業績相對亮眼。展望四季度及2027年，電子行業投資主線將繼續圍繞自主可控和AI算力兩大方向，看好基本面強勁、業績兌現度高且具備自主可控空間的細分方向，AI伺服器配套零部件、先進封裝、半導體設備及零部件等領域供應鏈公司業績有望持續兌現。綜合機構觀點，本輪存儲晶片行業景氣核心線索在於高端化與自主可控，一方面HBM、伺服器DDR5、企業級SSD等高帶寬、大容量產品需求受AI伺服器與數據中心建設拉動持續擴張，另一方面國產存儲晶片原廠擴產及產業鏈自主可控推進，有望帶動模組、封測、設備、材料等環節協同發展。
